Current collapse imaging of Schottky gate AIGaN/GaN high electron mobility transistors by electric field-induced optical second-harmonic generation measurement

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Current collapse imaging of Schottky gate AIGaN/GaN high electron mobility transistors by electric field-induced optical second-harmonic generation measurement

著者

和文:	Katsuno, T., 間中孝彰, Ishikawa, T., Ueda, H., Uesugi, T., 岩本光正.
英文:	Katsuno, T., Takaaki Manaka, Ishikawa, T., Ueda, H., Uesugi, T., MITSUMASA IWAMOTO.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

Vol. 104 No. 25

出版年月

2014年

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI