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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs 
著者
和文: 渡辺 正裕, Naoyuki Shigyo, 星井 拓也, Kazuyoshi Furukawa, 角嶋 邦之, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiro Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, 宗田 伊理也, 若林 整, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, 筒井 一生, Toshiro Hiramoto, 大橋 弘通, 岩井 洋.  
英文: Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiro Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2019年5月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:31th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019) 
開催地
和文: 
英文:Shahai 

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