A New Store Energy and Latency Reduction Architecture for Nonvolatile SRAM Using STT-MTJs: Proactive Useless Data Flush Architecture

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A New Store Energy and Latency Reduction Architecture for Nonvolatile SRAM Using STT-MTJs: Proactive Useless Data Flush Architecture

著者

和文:	北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年12月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019 MRAM special session

開催地

和文:
英文:	San Francisco