Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure

著者

和文:	Pham Van Thanh, Bui Nguyen Quoc Trinh, 宮迫毅明, TRONG TUE PHAN, 徳光永輔, 下田達也.
英文:	Pham Van Thanh, Bui Nguyen Quoc Trinh, Takaaki Miyasako, Phan Trong Tue, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Ferroelectric Letters Section

巻, 号, ページ

Vol. 40 p. 17

出版年月

2013年8月13日

出版者

和文:
英文:	Taylor & Francis

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: