Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減 
英文: 
著者
和文: 毛利 匡裕, 早坂 明泰, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 後藤 高寛, 宮本 恭幸.  
英文: Masahiro Mori, Akihiro Hayasaka, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, Takahiro Gotow, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         12p-B401-12
出版年月 2020年3月12日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第67回 応用物理学会 春季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:東京 
英文: 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.