分極接合基板におけるAlGaN/GaNヘテロ界面の欠陥電荷評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	分極接合基板におけるAlGaN/GaNヘテロ界面の欠陥電荷評価
英文:

著者

和文:	星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	Takuya Hoshii, 中島昭, 西澤伸一, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年6月13日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	日本結晶成長学会ナノエピ分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
英文:

開催地

和文:	広島
英文: