GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature on Polarization-Junction Platform

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature on Polarization-Junction Platform

著者

和文:	中島昭, 西澤, 大橋弘通, 萱沼怜, 筒井一生, 久保田俊介, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋.
英文:	Akira Nakajima, Shin-Ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Shunsuke Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 27th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2015)

開催地

和文:
英文:	Hong Kong