Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures

著者

和文:	武井優典, 岡本巧馬, W. Saito, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋.
英文:	Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	225th ECS Meeting

開催地

和文:
英文:	Orland, Florida