Simulation of short channel effect in GaN HEMT with a combined thin undoped channel and semi-insulating layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Simulation of short channel effect in GaN HEMT with a combined thin undoped channel and semi-insulating layer

著者

和文:	宮本恭幸, 後藤高寛.
英文:	Yasuyuki Miyamoto, Takahiro Gotow.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Transactions on Electronics

巻, 号, ページ

Vol. 103.C Page 304-307

出版年月

2020年6月1日

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI