Gate Technology Contributions to Collapse of Drain Current in AlGaN/GaN Schottky HEMT

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Gate Technology Contributions to Collapse of Drain Current in AlGaN/GaN Schottky HEMT

著者

和文:	川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋.
英文:	"T. Kawanago", "K. Kakushima", "Y. Kataoka", "A. Nishiyama", "N. Sugii", "H. Wakabayashi", "K. Tsutsui", "K. Natori", "H. Iwai".

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transaction on Electron Devices(T-ED)

巻, 号, ページ

Vol. 61 No. 3 pp. 785-791

出版年月

2014年2月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI