Concentration Depth Profiling of Heavily Doped Boron at and near SiO2/Si Interface by Angle-resolved Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Concentration Depth Profiling of Heavily Doped Boron at and near SiO2/Si Interface by Angle-resolved Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy

著者

和文:	角嶋邦之, 金原潤, 和泉慶彦, T. Muro, T. Kinoshita, AHMET PARHAT, 筒井一生, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	K. Kakushima, J. Kanehara, Y. Izumi, T. Muro, T. Kinoshita, P. Ahmet, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年9月28日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)

開催地

和文:
英文:	Aichi