Electron Tunneling in MIS Capacitors with MBE Grown Fluoride Layers on Si(111) and Ge(111): Role of Transvers Momentum Conservation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electron Tunneling in MIS Capacitors with MBE Grown Fluoride Layers on Si(111) and Ge(111): Role of Transvers Momentum Conservation

著者

和文:	Y. Y. Illarionov, M. I. Vexler, S. M. Suturin, V. V. Fedorov, N. S. Sokolov, 筒井一生, 高橋慶太.
英文:	Y. Y. Illarionov, M. I. Vexler, S. M. Suturin, V. V. Fedorov, N. S. Sokolov, K. Tsutsui, K. Takahashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年6月21日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	17th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS-2011)

開催地

和文:
英文:	Grenoble