Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs : Separation of Short Channel Effects and Space Charge Effects

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs : Separation of Short Channel Effects and Space Charge Effects

著者

和文:	小林由貴, 筒井一生, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, V. R. Rao, 岩井洋.
英文:	Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V. R. Rao, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)

開催地

和文:
英文:	Tsukuba