Advantage of La2O3 Gate Dielectric Over HfO2 for Direct Contact and Mobility Improvment

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Advantage of La2O3 Gate Dielectric Over HfO2 for Direct Contact and Mobility Improvment

著者

和文:	角嶋邦之, 舘喜一, 足立学, 岡本晃一, S. Sato, 宋 �漢, 川那子高暢, AHMET PARHAT, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, H. Iwai.
英文:	K. Kakushima, K. Tachi, M. Adachi, K. Okamoto, S. Sato, J. Song, T. Kawanago, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月15日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	the 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2008)

開催地

和文:
英文:	Edinburgh