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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Advantage of La2O3 Gate Dielectric Over HfO2 for Direct Contact and Mobility Improvment 
著者
和文: 角嶋 邦之, 舘 喜一, 足立 学, 岡本 晃一, S. Sato, 宋 �漢, 川那子 高暢, AHMET PARHAT, 筒井 一生, 杉井 信之, 服部 健雄, H. Iwai.  
英文: K. Kakushima, K. Tachi, M. Adachi, K. Okamoto, S. Sato, J. Song, T. Kawanago, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2008年9月15日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:the 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2008) 
開催地
和文: 
英文:Edinburgh 

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