RF reflectometry for readout of charge transition in a physically defined p-channel MOS silicon quantum dot

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	RF reflectometry for readout of charge transition in a physically defined p-channel MOS silicon quantum dot

著者

和文:	SINAN BUGU, S. Nishiyama, K. Kato, Y. Liu, T. Mori, 小寺哲夫.
英文:	S. Bugu, S. Nishiyama, K. Kato, Y. Liu, T. Mori, T. Kodera.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

60 SBBI07 abeac1

出版年月

2021年3月24日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: