単一障壁p型トンネルダイオードを用いたSi/CaF<sub>2</sub>界面における価電子帯障壁高さ(ΔEv)の評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	単一障壁p型トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(ΔEv)の評価
英文:	Evaluation of valence band difference (ΔEV) at Si/CaF₂ interface using p-type single barrier tunneling diodes

著者

和文:	菅原大暉, 劉龍, 鄭源宰, 小柳陽平, 北村研太, 渡辺正裕.
英文:	Daiki Sugawara, Long Liu, Gensai Tei, Yohei Koyanagi, Kenta Kitamura, MASAHIRO WATANABE.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第82回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 (2021 ハイブリッド開催（名城大学天白キャンパス＆オンライン）)
英文:

巻, 号, ページ

p. 12-311

出版年月

2021年9月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第82回応用物理学会学術講演会
英文:	The 82nd Autumn Meeting of The Jpn. Soc. of Appl. Phys.

開催地

和文:
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