2D-Channel FET based on High-Mobility TMDC-Film Formation with PVD Method using Crystal-Quality Improvement Process and Side-Contact Architecture

論文・著書情報

タイトル

和文:	結晶性向上プロセス及びサイドコンタクト技術を用いた PVD成膜高移動度TMDC膜二次元チャネルFET技術
英文:	2D-Channel FET based on High-Mobility TMDC-Film Formation with PVD Method using Crystal-Quality Improvement Process and Side-Contact Architecture

著者

和文:	濱田昌也.
英文:	Masaya Hamada.

種別

種別:	学位論文(博士)論文要旨
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第11751号

学位授与日

2022/03/26

審査員

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