TID影響下におけるMOSFETの動的特性劣化モデルの開発

論文・著書情報

タイトル

和文:	TID影響下におけるMOSFETの動的特性劣化モデルの開発
英文:	Development of dynamic deterioration model of MOSFET under TID effect

著者

和文:	大島佑太, 安藤幹, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田孝, 石原昇, 伊藤浩之.
英文:	Yuta Oshima, Motoki Ando, Kenji Hirakawa, Masayuki Iwase, Munehiro Ogasawara, Takashi Yoda, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2019年3月10日

出版者

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会議名称

和文:	第66回応用物理学会春季学術講演会
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開催地

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