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論文・著書情報


タイトル
和文:TID影響下におけるMOSFETの動的特性劣化モデルの開発 
英文:Development of dynamic deterioration model of MOSFET under TID effect 
著者
和文: 大島佑太, 安藤幹, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田孝, 石原昇, 伊藤浩之.  
英文: Yuta Oshima, Motoki Ando, Kenji Hirakawa, Masayuki Iwase, Munehiro Ogasawara, Takashi Yoda, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
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巻, 号, ページ        
出版年月 2019年3月10日 
出版者
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会議名称
和文:第66回 応用物理学会春季学術講演会 
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開催地
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