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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation 
著者
和文: ChenSi-Meng, TSAISung Lin, 水谷一翔, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, Edward Yi Chang, 角嶋邦之.  
英文: Si-Meng Chen, Sung Lin Tsai, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Edward Yi Chang, Kuniyuki KAKUSHIMA.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Japanese Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Volume 61       
出版年月 2022年6月13日 
出版者
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会議名称
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開催地
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