Hole-doping to a Cu(I)-based semiconductor with an isovalent cation: Utilizing a complex defect as a shallow acceptor

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Hole-doping to a Cu(I)-based semiconductor with an isovalent cation: Utilizing a complex defect as a shallow acceptor

著者

和文:	K. Matsuzaki, 角田直樹, 熊谷悠, Y. Tang, K. Nomura, 大場史康, 細野秀雄.
英文:	K. Matsuzaki, N. Tsunoda, Y. Kumagai, Y. Tang, K. Nomura, F. Oba, HIDEO HOSONO.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of the American Chemical Society

巻, 号, ページ

vol. 144 pp. 16572–16578

出版年月

2022年9月1日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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