GaN channel thickness dependence in AlGaN / GaN HEMT structures with back barriers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaN channel thickness dependence in AlGaN / GaN HEMT structures with back barriers

著者

和文:	伊東幸風, 玉井晟多, 星拓也, 宮本恭幸.
英文:	Y. Ito, S. Tamai, T. Hoshi, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2022年9月27日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2022 International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:	千葉
英文: