Dependence of Process Damage on GaN Channel Thickness in AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistors with Back-barrier Layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Dependence of Process Damage on GaN Channel Thickness in AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistors with Back-barrier Layers

著者

和文:	伊東幸風, 玉井晟多, 星拓也, 後藤高寛, 宮本恭幸.
英文:	Y. Ito, S. Tamai, T. Hoshi, T. Gotow, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	JPN. J. APPL. PHYS.

巻, 号, ページ

vol. 62 no. SC SC1048

出版年月

2023年2月6日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI