High-Power-Density InAlGaN/GaN HEMT using InGaN back barrier for W-band amplifiers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High-Power-Density InAlGaN/GaN HEMT using InGaN back barrier for W-band amplifiers

著者

和文:	J. Kotani, 牧山剛三, T. Ohki, S. Ozaki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, N. Nakamura, 宮本恭幸.
英文:	J. Kotani, K. Makiyama, T. Ohki, S. Ozaki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, N. Nakamura, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ELECTRON. LETT.

巻, 号, ページ

vol. 59 no. 4 e12715

出版年月

2023年2月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI