トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET

論文・著書情報

タイトル

和文:	トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET
英文:

著者

和文:	梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整.
英文:	Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, Hitoshi Wakabayashi.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2023年9月21日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第84回応用物理学会秋季学術講演会
英文:	84th JSAP Autumn meeting

開催地

和文:	熊本市
英文:	Kumamoto