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論文・著書情報


タイトル
和文:nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製 
英文: 
著者
和文: 篠原 健朗, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整.  
英文: Takeaki Shinohara, Iriya Muneta, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, Hitoshi Wakabayashi.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2017年3月16日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第64回応用物理学会春季学術講演会 
英文:64th JSAP Spring meeting 
開催地
和文:横浜 
英文:Yokohama 

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