GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation
英文:	GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation

著者

和文:	Si-Meng Chen, Sung-Lin Tsai, Kazuto Mizutani, 星井拓也, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Edward Yi Chang, Kuniyuki Kakushima.
英文:	Si-Meng Chen, Sung-Lin Tsai, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Edward Yi Chang, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Japanese Journal of Applied Physics
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

出版年月

2022年7月1日

出版者

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会議名称

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開催地

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