Single-electron transistor operation of a physically defined silicon quantum dot device fabricated by electron beam lithography employing a nagative-tone resist

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Single-electron transistor operation of a physically defined silicon quantum dot device fabricated by electron beam lithography employing a nagative-tone resist

著者

和文:	西山伸平, 加藤公彦, 溝口来成, 米田淳, 小寺哲夫, 友利直人, Liu Yongxun.
英文:	Shimpei Nishiyama, K. Kato, R. Mizokuchi, J. Yoneda, T. Kodera, T. Mori, Y. Liu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Transactions on Electronics

巻, 号, ページ

vol. E106-C No. 10 pp. 592-596

出版年月

2023年10月1日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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