貫入構造形成により液晶性を発現するイオン性ロタキサン | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	貫入構造形成により液晶性を発現するイオン性ロタキサン
英文:

著者

和文:	鷲野豪介, 西村涼, 宍戸厚.
英文:	Gosuke Washino, Suzushi Nishimura, Atsushi Shishido.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2023年7月1日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第24回液晶化学研究会シンポジウム
英文:

開催地

和文:	千葉
英文:

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.