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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:GaN HEMT using partial high-k films at G-D spacing to improve breakdown voltage 
著者
和文: 伊東 幸風, 吉田 樹, 宮本 恭幸.  
英文: Y. Ito, I. Yoshida, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2024年6月5日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Compound Semiconductor Week 
開催地
和文: 
英文:Lund 

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