Design of Highly-Stable Energy-Minimum-Point SRAM Using Ultralow-Voltage Retention Cell

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Design of Highly-Stable Energy-Minimum-Point SRAM Using Ultralow-Voltage Retention Cell

著者

和文:	伊藤克俊, 塩津勇作, 菅原聡.
英文:	Katsutoshi Ito, Yusaku Shiotsu, SATOSHI SUGAHARA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2024年11月21日

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

和文:
英文:	IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

開催地

和文:
英文:	Kyoto