Structural and Electrical Properties of Si-Doped β-Ga2O3 Thin Films Deposited by RF Sputtering: Effects of Oxygen Flow Ratio and Post-Annealing Temperature

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Structural and Electrical Properties of Si-Doped β-Ga2O3 Thin Films Deposited by RF Sputtering: Effects of Oxygen Flow Ratio and Post-Annealing Temperature

著者

和文:	Haechan Kim, 久保田雄太, 松下伸広, Gonjae Lee, Hong JeongSoo.
英文:	Haechan Kim, Yuta Kubota, Nobuhiro Matsushita, Gonjae Lee, Jeongsoo Hong.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Coatings

巻, 号, ページ

Vol. 15 10 1181

出版年月

2025年10月9日

出版者

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会議名称

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開催地

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