Impact of back-end-of-line processing on DC and RF characteristics of 60-nm-gate InP-based HEMTs for terahertz MMICs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Impact of back-end-of-line processing on DC and RF characteristics of 60-nm-gate InP-based HEMTs for terahertz MMICs

著者

和文:	佐々木太郎, 杉山弘樹, 吉屋佑樹, 星拓也, 宮本恭幸, 中島史人.
英文:	T. Sasaki, H. Sugiyama, Y. Yoshiya, T. Hoshi, Y. Miyamoto, F. Nakajima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2025年11月20日

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:	International Microprocesses and Nanotechnology Conference

開催地

和文:
英文:	Tokyo

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