Impact of back-end-of-line processing on DC and RF characteristics of 60-nm-gate InP-based HEMTs for terahertz MMICs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Impact of back-end-of-line processing on DC and RF characteristics of 60-nm-gate InP-based HEMTs for terahertz MMICs

著者

和文:	T. Sasaki, 杉山弘樹, Y. Yoshiya, 星拓也, 宮本恭幸, F. Nakajima.
英文:	T. Sasaki, H. Sugiyama, Y. Yoshiya, T. Hoshi, Y. Miyamoto, F. Nakajima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 65

出版年月

2026年2月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI