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中村玲雄 研究業績一覧 (7件)
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国際会議発表 (査読有り)
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T. Ouchi,
L. Nakamura,
K. Takemura,
M. Shimura,
R. Ushioda,
T. Iimori,
F. Komori,
H. Hirayama,
K. Nakatsuji.
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates,
13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21),
Oct. 2021.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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大内拓実,
長尾俊祐,
中村玲雄,
竹村晃一,
志村舞望,
潮田亮太,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2022.
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大内拓実,
中村玲雄,
竹村晃一,
志村舞望,
潮田亮太,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態,
2021年日本表面真空学会学術講演会,
Nov. 2021.
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中村玲雄,
勝俣錬,
潮田亮太,
大内拓実,
小森文夫,
飯盛拓嗣,
平山博 之,
中辻寛.
n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
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勝俣錬,
中村玲雄,
金野達,
木村彰博,
大内拓実,
永友慶,
田中和也,
下川裕理,
小澤健一,
間瀬一彦,
小森文夫,
飯盛拓嗣,
平山博之,
中辻寛.
Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
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金野達,
勝俣錬,
木村彰博,
中村玲雄,
諸貫亮太,
山崎詩郎,
小澤健一,
間瀬一彦,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(110)3×2-Bi表面の電子状態,
2020年日本表面真空学会学術講演会,
Nov. 2020.
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金野達,
勝俣錬,
木村彰博,
中村玲雄,
山崎詩郎,
小澤健一,
間瀬一彦,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(110)3x2-Bi表面の電子状態,
日本物理学会第75回年次大会,
Mar. 2020.
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