国際会議発表 (査読有り)

• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama. Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)Root3×Root3-B Substrate, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Oct. 2018.
• Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)Root3×Root3-B surfaces, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Oct. 2017.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3 x √3-B substrate, 21st International Vacuum Congress, July 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 下川裕理, 藤原翼, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 渡辺義夫, 仲武昌史, 間瀬一彦, 高橋和敏, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 藤原翼, 下川裕理, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態, 日本物理学会第72回年次大会, Mar. 2017.

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