論文

• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Improvement in the current-gain of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP transistor laser using a thin p-GaInAsP base layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 7, pp. 070301-1-070301-4, June 2016.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Shotaro Tadano, Takaaki Kaneko, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThD1-6, June 2016.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Dynamic Behavior of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers under Collector-Base Voltage Loss-modulation, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), No. 26J2-2, Aug. 2015.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Thin Current Injection Base Layer, Compound Semiconductor Week 2015, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. O6.4, June 2015.
• Takumi Yoshida, Takaaki Kaneko, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure, Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., Mo, B2, 1, May 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 山中健太郎, 金子貴晃, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会, Apr. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける 光出力特性と電気特性の評価, 電子情報通信学会 2016年総合大会, No. C4-4, Mar. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度1月研究会, LQE-5, Jan. 2016.
• 金子貴晃, 吉田匠, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会, No. C4-2, Sept. 2015.
• 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 量子ドットレーザによる1.3 μm帯伝送最適化マルチモードファイバ伝送特性における励起位置依存性, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会, No. B10-15, Sept. 2015.
• 只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No. 16p-2E-3, Sept. 2015.
• 只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける ベース層薄膜化によるキャリア引き抜き量の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2015年度4月研究会, P2, 7, Apr. 2015.
• 金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける ベース層構造の変更による発振特性の改善, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2014年度4月研究会, Apr. 2014.
• 金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発振特性の ベース層構造依存性, 電子情報通信学会 2014年総合大会, C-4-31, Mar. 2014.
• 吉田匠, 行成元志, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善, 第3回IPDA研究会, P03, Jan. 2014.

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