論文

• Shoji Okamoto, Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo. Thickness and temperature dependences of dielectric properties of {111}-oriented epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 and 0.6Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 ー 0.4PbTiO3 films, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 57, pp. 0902BA-1-5, June 2018.
• Shoji Okamoto, P. S. Sankara Rama Krishnan, Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo. In-plane orientation and composition dependences of crystal structure and electrical properties of {100}-oriented Pb(Zr, Ti)O3 films grown on (100) Si substrates by metal organic chemical vapor deposition, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 56, pp. 10PF12-1-5, Sept. 2017.
• Shoji Okamoto, Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo. Composition dependences of crystal structure and electrical properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films grown on Si and SrTiO3 substrates, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 55, pp. 10TA08-1-5, Sept. 2016.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 岡本庄司, 岡本賢, 横山信太郎, 舟窪浩, 秋山賢輔. MOCVD法でSi基板上に作製した面内配向制御して作製したPZT薄膜における電気特性の組成依存性, 第34回強誘電体応用会議（FMA34）, May 2017.
• 岡本 庄司, 岡本 賢, 横山 慎太郎, 舟窪 浩, 秋山 賢輔. Si基板およびSrTiO3基板上エピタキシャルPZT薄膜の電気特性および結晶構造の組成依存性, 第33回強誘電体応用会議（FMA 33）, May 2016.

学位論文

• 配向および歪み制御による高性能圧電特性を有するPb(Zr,Ti)O3 および(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 薄膜に関する研究,  本文,  博士(工学),  東京工業大学,  2018/09/20, 
• 配向および歪み制御による高性能圧電特性を有するPb(Zr,Ti)O3 および(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 薄膜に関する研究,  要約,  博士(工学),  東京工業大学,  2018/09/20,   
• 配向および歪み制御による高性能圧電特性を有するPb(Zr,Ti)O3 および(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 薄膜に関する研究,  審査の要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2018/09/20,   
• 配向および歪み制御による高性能圧電特性を有するPb(Zr,Ti)O3 および(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 薄膜に関する研究,  論文要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2018/09/20,   

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