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齋藤渉 研究業績一覧 (12件)
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国際会議発表 (査読なし・不明)
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Jiangning Chen,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
片岡好則,
西山彰,
Nobuyuki Sugii,
Hitoshi Wakabayashi,
KAZUO TSUTSUI,
Kenji Natori,
HIROSHI IWAI,
齋藤渉.
Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT with La2O3 gate dielectricsn,
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39,
2014.
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Yusuke Takei,
Mari Okamoto,
S. Man,
Ryosuke Kayanuma,
Masayuki Kamiya,
齋藤渉,
KAZUO TSUTSUI,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Hitoshi Wakabayashi,
Yoshinori Kataoka,
HIROSHI IWAI.
Contact resistances depending on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN HEMT structures,
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT,
2014.
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Masayuki Kamiya,
Yusuke Takei,
齋藤渉,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Hitoshi Wakabayashi,
Yoshinori Kataoka,
HIROSHI IWAI.
Evaluation of 2DEG distribution on AlGaN/GaN HEMTs introducing uneven AlGaN layers and its possibility for low-resistive contacts formation,
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39,
2014.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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神谷真行,
武井優典,
齋藤渉,
角嶋邦之,
若林整,
片岡好則,
筒井一生,
岩井洋.
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
2014.
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陳江寧,
角嶋邦之,
片岡好則,
西山彰,
杉井信之,
若林整,
筒井一生,
名取研二,
岩井洋,
齋藤渉.
La2O3ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスのプロセス依存性,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
2014.
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岡本真里,
松川佳弘,
角嶋邦之,
片岡好則,
西山彰,
杉井信之,
若林整,
筒井一生,
名取研二,
大橋弘通,
岩井洋,
齋藤渉.
TiB2電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
2014.
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松川佳弘,
岡本真里,
角嶋邦之,
片岡好則,
西山彰,
杉井信之,
若林整,
筒井一生,
名取研二,
岩井洋,
齋藤渉.
AlGaN/GaN上のTi/C/TiN電極のコンタクト抵抗:Ti/C膜厚及び比率依存性,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
2014.
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武井優典,
岡本真里,
マンシン,
萱沼怜,
神谷真行,
齋藤渉,
筒井一生,
角嶋邦之,
若林整,
片岡好則,
岩井洋.
AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN膜厚依存性,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
2014.
-
松川佳弘,
岡本真里,
角嶋邦之,
片岡好則,
西山彰,
杉井信之,
若林整,
筒井一生,
名取研二,
岩井洋,
齋藤渉.
AlGaN/GaN上のTiC電極の電流電圧特性の熱処理温度依存性,
第74回応用物理学会秋季学術講演会,
2013.
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武井優典,
神谷真行,
寺山一真,
米澤宏昭,
齋藤 渉,
筒井一生,
角嶋邦之,
若林整,
片岡好則,
岩井洋.
AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性,
第74回応用物理学会秋季学術講演会,
2013.
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齋藤渉,
森郁,
杉浦秀和,
丸山武男,
渡辺正裕,
浅田雅洋.
CaF2上極薄膜CoSi2電気抵抗のCaF2結晶依存性,
第57回応用物理学会学術講演会,
8p-ZE17,
1,
200,
Sept. 1996.
-
末益崇,
齋藤渉,
森郁,
河野義史,
渡辺正裕,
浅田雅洋.
CoSi2/CaF2量子干渉トランジスタの微分負性抵抗を用いたホットエレクトロン輸送効率導出,
第43回応用物理学会関係連合講演会,
28p-W11,
3,
1266,
Mar. 1996.
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