論文

• Tomomasa Shinozaki, Kenji Nomura, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono. Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO₄ single-crystalline buffer layer, Thin Solid Films, vol. 518, pp. 2996-2999, 2010.

国際会議発表 (査読有り)

• Tomomasa Shinozaki, Kenji Nomura, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono. Epitaxial growth of GaN films on InGaZnO4 single crystalline buffer layer, 6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-6), Apr. 2009.

国内会議発表 (査読有り)

• 篠崎智正, 野村研二, 片瀬貴義, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄. 層状酸化物結晶InGaZnO4の単結晶薄膜作製とバッファー層への応用, 薄膜材料デバイス研究会 第６回研究集会, Nov. 2009.
• 片瀬貴義, 野村研二, 篠崎智正, 柳博, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄. GaN薄膜成長におけるScAlMgO4格子整合バッファ層の効果, 薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会, 2008.

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