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Publication List - YASUYUKI MIYAMOTO 2001 (14 / 477 entries)
Journal Paper
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T. Arai,
S. Yamagami,
Y. Miyamoto,
KAZUHITO FURUYA.
Reduction of Base-Collector Capacitance in Submicron InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried Tungsten Wires,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 40,
No. 7B,
pp. L735,
July 2001.
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T. Arai,
S. Yamagami,
Y. Okuda,
Y. Harada,
Y. Miyamoto,
K. Furuya.
InP DHBT with 0.5 um wide emitter along <010> direction toward BM-HBT with narrow emitter,
Trans. IECE of Japan,
Vol. E84-C,
No. 10,
pp. 1394,
2001.
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T. Arai,
S. Yamagami,
Y. Miyamoto,
K. Furuya.
Submicron Buried Metal Heterojuunction Bipolar Transistors,
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,
Vol. FA3-7,
2001.
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T. Arai,
T. Morita,
H.Nagatsuka,
Y. Miyamoto,
K. Furuya.
Fabrication of InP DHBTs with 0.1μm Wide Emitter,
59th Annual Device Research Conference,
Vol. III-24,
2001.
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山本練,
宮本恭幸,
古屋一仁,
E. リンド,
I.ピッツンカ,
L.バナソン,
L.サミュエルソン.
ノンドープGaAs中の埋込み金属電極によるホットエレクトロン電流変調,
第48回応用物理学会関係連合講演会,
Vol. 29a-YD-3,
2001.
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新井俊希,
山上滋春,
酒井隆史,
宮本恭幸,
古屋一仁.
BM-HBT高速化のためのコレクタ抵抗の低減,
第48回応用物理学会関係連合講演会,
Vol. 28p-YC-8,
2001.
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前堅一,
柄沢伸也,
宮本恭幸,
古屋一仁.
GaAs/AlAs/InGaPショットキーコンタクト構造真空エミッタ,
第62回応用物理学会学術講演会,
Vol. 13a-M-3,
2001.
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中村弘道,
小口博嗣,
二宮泰徳,
宮本恭幸,
古屋一仁.
80nm周期Au/Ti/n-GaInAs オーミック電極のアイソレーション,
第62回応用物理学会学術講演会,
Vol. 14a-YB-10,
2001.
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新井俊希,
山上滋春,
酒井隆史,
宮本恭幸,
古屋一仁.
EB露光による微細金属埋込みHBTの作製,
第62回応用物理学会学術講演会,
Vol. 13p-ZF-8,
2001.
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森田竜夫,
新井俊希,
長塚弘美,
宮本恭幸,
古屋一仁.
0.1μm幅エミッタを有するInP/GaInAs系DHBTの作製,
第62回応用物理学会学術講演会,
Vol. 13p-ZF-9,
2001.
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Y. Miyamoto,
M. Kurita,
K. Furuya.
GaInAs/AlAs/InP hot electron vacuum emitter,
1st International Workshop on Quantum Nonplaner Nanostructures & Nanoelectronics,
Tu-P30,
2001.
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Y. Miyamoto,
H. Oguchi,
H. Nakamura,
Y. Ninomiya,
K. Furuya.
80 nm periodical ohmic contacts toward Young's double slit experiment using a semiconductor,
1st International Workshop on Quantum Nonplaner Nanostructures & Nanoelectronics,
Tu-P31,
2001.
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L.-E. Wernersson,
R. Yamamoto,
E. Lind,
I. Pietzonka,
W. Seifert,
Y. Miyamoto,
K. Furuya,
L. Samuelson.
Attractive Potential around a Buried Metallic Gate in a Schottky Collector Hot Electron Transistor,
28th International Symposium on Compound Semiconductors,
Mo-P33,
2001.
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Y.Miyamoto,
H.Oguchi,
H.Nakamura,
Y.Ninomiya,
K.Furuya.
Isolation of 80 nm periodical Au/Ti/n-GaInAs ohmic contacts,
20th Electronic Materials Symposium,
B3,
2001.
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