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Publication List - YASUYUKI MIYAMOTO 2002 (12 / 477 entries)
Journal Paper
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宮本恭幸,
古屋一仁.
InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高速化技術,
応用物理,
Vol. 71,
No. 3,
pp. 285,
2002.
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T. Morita,
T. Arai,
H. Nagatsuka,
Y. Miyamoto,
K. Furuya.
Fabrication of InP/GaInAs Double Heterojunction Bipolar Transistors with 0.1-um-Wide Emitter,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 41,
No. 2A,
pp. L121,
2002.
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Y. Miyamoto,
H. Nakamura,
Y. Ninomiya,
H. Oguchi,
N. Machida,
K. Furuya .
Current modulation in fine electrode by hot electron passing through GaInAs/InP double slits,
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,
Vol. PII-24,
2002.
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前田寛,
山本練,
竹内克彦,
宮本恭幸,
古屋一仁.
ノンドープInP中の埋込金属周期電極構造を用いたホットエレクトロントランジスタ,
第63回応用物理学会学術講演会,
Vol. 25p-P9-7,
2002.
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田中剛,
徳留功一,
宮本恭幸.
低酸素MOCVD材料を用いたAlInAsとAlInAs/InP HEMT構造の成長,
第63回応用物理学会学術講演会,
Vol. 26p-YD-14,
2002.
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真島豊,
笹尾和樹,
東康男,
宮本恭幸.
金属/SAM/金属構造素子の試作と電流-電圧特性,
第63回応用物理学会学術講演会,
Vol. 25a-ZF-11,
2002.
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二宮泰徳,
中村弘道,
宮本恭幸,
町田信也,
古屋一仁.
GaInAs/InPダブルスリットを通過したホットエレクトロンの電流変調,
第49回応用物理学会関係連合講演会,
Vol. 27p-YH-16,
2002.
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Y. Miyamoto,
R. Yamamoto,
H. Maeda,
K. Takeuchi,
L.-E. Wernersson, K,
Furuya.
InP Hot Electron Transistor with a Buried Metallic Gate for Electron Emission,
60th Annual Device Research Conference,
Vol. III-20,
2002.
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Y. Miyamoto,
T. Arai,
S. Yamagami,
K. Matsuda,
K. Furuya.
Evaluation of base-collector capacitance in submicron buried metal heterojunction bipolar transistors ,
The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials,
Vol. E-1-4,
2002.
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K. Takeuchi,
R. Yamamoto,
H. Maeda,
Y. Miyamoto,
K. Furuya.
Freestanding tungten wires for BM-HET ,
2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference,
Vol. 6B-3-4,
2002.
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Y. Majima,
K. Sasao,
Y. Azuma,
Y. Miyamoto.
Fabrication and I-V characteristics of metal/SAM/metal devices,
2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference,
Vol. 6B-3-7,
2002.
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