論文

• T. Shirasawa, W. Voegeli, E. Arakawa, R. Ushioda, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Structural transition at the subsurface of few-layer Bi(110) film during the growth, Physical Review Materials.., Volume 7, 033404, Mar. 2023.
• M. Shimura, T. Shirasawa, R. Ushioda, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Growth kinetics of a perfectly flat Bi(110) film during low-temperature deposition and subsequent annealing, Surface Science, Volume 728, 122210, Feb. 2023.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 平山博之, 中辻寛. (In,Bi)/Si(111)表面の原子構造, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 竹村晃一, 片野達貴, 河添理央, Insung Seo, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 小澤健一, 間瀬一彦, 合田義弘, 平山博之, 中辻寛. SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.

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