論文

• A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, D. Maryenko, A. Ohtomo, M. Kawasaki. Observation of the fractional quantum Hall effect in an oxide, Nature Materials, Nature Publishing Group, Vol. 9, No. 11, pp. 889-893, Oct. 2010.  公式リンク  
  
• A. Tsukazaki, A. Ohtomo, D. Chiba, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki. Low-temperature field-effect and magnetotransport properties in a ZnO based heterostructure with atomic-layer-deposited gate dielectric, Applied Physics Letters, Vol. 93, No. 24, 241905-1-3, Dec. 2008.  公式リンク  
  
• A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki. Quantum Hall effect in polar oxide heterostructures, Science, Vol. 315, No. 5817, pp. 1388-1391, Mar. 2007.  公式リンク  
  
• J. Nishii, A. Ohtomo, M. Ikeda, Y. Yamada, K. Ohtani, H. Ohno, M. Kawasaki. High-throughput synthesis and characterization of Mg_1-xCa_xO films as a lattice and valence-matched gate dielectric for ZnO based field effect transistors, Applied Surface Science, Vol. 252, No. 7, pp. 2507-2511, Jan. 2006.  公式リンク  
  
• J. Nishii, A. Ohtomo, K. Ohtani, H. Ohno, M. Kawasaki. High-mobility field-effect transistors based on single-crystalline ZnO channels, Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, Vol. 44, No. 37-41, pp. L1193-L1195, Sept. 2005.  公式リンク  
  
• A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, M. Kawasaki. Blue light-emitting diode based on ZnO, Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, Vol. 44, No. 20-23, pp. L643-L645, May 2005.  公式リンク  
  
• Y. Yamada, T. Fukumura, M. Ikeda, M. Ohtani, H. Toyosaki, A. Ohtomo, F. Matsukura, H. Ohno, M. Kawasaki. Fabrication of ternary phase composition-spread thin film libraries and their high-throughput characterization: Ti_1-x-yZr_xHf_yO₂ for bandgap engineering, Journal of Superconductivity, Vol. 18, No. 1, pp. 109-113, Feb. 2005.  公式リンク  
  
• A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, M. Kawasaki. Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO, Nature Materials, Vol. 4, No. 1, pp. 42-46, Jan. 2005.  公式リンク  
  
• T. I. Suzuki, A. Ohtomo, A. Tsukazaki, F. Sato, J. Nishii, H. Ohno, M. Kawasaki. Hall and field-effect mobilities of electrons accumulated at a lattice-matched ZnO/ScAIMgO₄ heterointerface, Advanced Materials, Vol. 16, No. 21, pp. 1887-1890, Nov. 2004.  公式リンク  
  
• F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, T. Sugihara, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Koinuma, H. Ohno, M. Kawasaki. Modeling of grain boundary barrier modulation in ZnO invisible thin film transistors, Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, Vol. 21, No. 2-4, pp. 911-915, Mar. 2004.  公式リンク  
  
• F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, A. Ohtomo, T. Fukumura, Hiroshi Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma, M. Kawasaki. Modeling and simulation of polycrystalline ZnO thin-film transistors, Journal of Applied Physics, Vol. 94, No. 12, pp. 7768-7777, Dec. 2003.  公式リンク  
  
• J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, M. Kawasaki. High mobility thin film transistors with transparent ZnO channels, Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, Vol. 42, No. 4A, pp. L347-L349, Apr. 2003.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読なし・不明)

• A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, A. Kamisawa, Y. Ohno, H. Ohno, A. Ohtomo, M. Kawasaki. Fractional quantum Hall effect in MgZnO/ZnO heterostructures, The 2010 WPI-AIMR Annual Workshop, Mar. 2010.
• A. Tsukazaki, A. Ohtomo, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki. The fractional quantum Hall effect in MgZnO/ZnO based haterostructures, 16th International Workshop on Oxide Electronics, Oct. 2009.
• A. Ohtomo, A. Tsukazaki, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki. Quantum Hall effect in polar oxide heterostructures, DFG-Kolloquium “Quantum Hall System”, June 2007.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 塚崎 敦, 赤坂 俊輔, 中原 健, 神澤 公, 大野 裕三, 大野 英男, 大友 明, 川崎雅司. 2DEG移動度100,000 cm²V^-1s^-1を越えるMgZnO/ZnO界面の実現, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• A. Ohtomo, A. Tsukazaki, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, K. Nakahara, H. Yuji, K. Tamura, S. Akasaka, H. Takasu, M. Kawasaki. Quantum Hall effect in ZnO, WPI & IFCAM Joint Workshop "Challenge of Interdisciplinary Materials Science to Technological Innovation of the 21st Century", Feb. 2008.

その他の論文・著書など

• 塚崎 敦, 大友 明, 北 智洋, 大野 裕三, 大野 英男, 川崎 雅司. ZnO/MgZnO界面における量子ホール効果, 固体物理, Vol. 42, No. 9, pp. 559-567, Sept. 2007.
• 大友 明, 塚崎 敦, 北 智洋, 大野 裕三, 大野 英男, 川崎雅司. ZnOの量子ホール効果, 応用電子物性分科会誌, Vol. 13, No. 2, p. 73-78, June 2007.
• 大友 明, 川崎 雅司, 大野 英男. 酸化亜鉛電界効果デバイス, 固体物理, Vol. 40, No. 6, pp. 407-414, June 2005.
• 大友 明, 川崎 雅司, 大野 英男. 酸化亜鉛電界効果デバイスの進展と課題, 応用電子物性分科会誌, Vol. 11, No. 1, pp. 26-33, Jan. 2005.

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