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渡辺正裕 2019年 研究業績一覧 (15件 / 322件)
国際会議発表 (査読有り)
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T. Hiramoto,
T. Saraya,
K. Itou,
T. Takakura,
M. Fukui,
S. Suzuki,
K. Takeuchi,
M. Tsukuda,
Y. Numasawa,
K. Satoh,
T. Matsudai,
W. Saito,
K. Kakushima,
T. Hoshii,
K. Furukawa,
M. Watanabe,
N. Shigyo,
H. Wakabayashi,
K. Tsutsui,
H. Iwai,
A. Ogura,
S. Nishizawa,
I. Omura,
H. Ohash.
Switching of 3300V Scaled IGBT by 5V Gate Drive,
ASICON (International Conference on ASIC),
Oct. 2019.
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Yoshiro Kumagai,
Satoshi Fukuyama,
Hiroki Tonegawa,
Kizashi Mikami,
Kodai Hirose,
Kanta Tomizawa,
Keisuke Ichikawa,
Masahiro Watanabe.
Negative Differential Resistance in CaF2/Si Double Barrier Resonant Tunneling Diodes via Plasma Etching Mesa Isolation process,
32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019),
The Japan Society of Applied Physics,
Oct. 2019.
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Long Liu,
Soichiro Ono,
Gensai Tei,
Masahiro Watanabe.
Design, fabrication, and evaluation of waveguide structure for Si/CaF2 quantum-well intersubband transition lasers,
The 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials,
Sept. 2019.
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Masahiro Watanabe,
Naoyuki Shigyo,
Takuya Hoshii,
Kazuyoshi Furukawa,
Kuniyuki Kakushima,
Katsumi Satoh,
Tomoko Matsudai,
Takuya Saraya,
Toshihiro Takakura,
Kazuo Itou,
Munetoshi Fukui,
Shinichi Suzuki,
Kiyoshi Takeuchi,
Iriya Muneta,
Hitoshi Wakabayashi,
Akira Nakajima,
Shin-ichi Nishizawa,
Kazuo Tsutsui,
Toshiro Hiramoto,
Hiromichi Ohashi,
Hiroshi Iwai.
Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs,
31th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019),
May 2019.
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Takuya Saraya,
Kazuo Itou,
Toshihiko Takakura,
Munetoshi Fukui,
Shinichi Suzuki,
Kiyoshi Takeuchi,
Masanori Tsukuda,
Yohichiroh Numasawa,
Katsumi Satoh,
Tomoko Matsudai,
Wataru Saito,
Kuniyuki Kakushima,
Takuya Hoshii,
Kazuyoshi Furukawa,
Masahiro Watanabe,
Naoyuki Shigyo,
Hitoshi Wakabayashi,
Kazuo Tsutsui,
Hiroshi Iwai,
Atsushi Ogura,
Shin-Ichi Nishizawa,
Ichiro Omura,
Hiromichi Ohashi,
Toshiro Hiramo.
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltag,
31th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019),
May 2019.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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渡辺正裕,
執行直之,
星井拓也,
古川和由,
角嶋邦之,
佐藤克己,
末代知子,
更屋拓哉,
高倉俊彦,
伊藤一夫,
福井宗利,
鈴木慎一,
竹内 潔,
宗田伊里也,
若林 整,
中島 昭,
西澤伸一,
筒井一生,
平本俊郎,
大橋弘通,
岩井洋.
トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション,
電子情報通信学会 SDM(シリコン材料・デバイス)研究会,
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,
電子情報通信学会,
Vol. 119,
No. 273,
pp. 45-48,
Nov. 2019.
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利根川 啓希,
熊谷 佳郎,
三上 萌,
廣瀬 皓大,
冨澤 勘太,
金子 拓海,
佐藤 穂波,
渡辺 正裕.
Si/CaF2三重障壁共鳴トンネルダイオードの高ピーク電流密度を有する室温微分負性抵抗特性,
第80回応用物理学会学術講演会,
応用物理学会,
p. 12-340,
Sept. 2019.
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冨澤 勘太,
熊谷 佳郎,
利根川 啓希,
三上 萌,
廣瀬 皓大,
金子 拓海,
佐藤 穂波,
渡辺 正裕.
CaF2/Si/SiO2二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性,
第80回応用物理学会学術講演会,
応用物理学会,
p. 12-341,
Sept. 2019.
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三上 萌,
熊谷 佳郎,
廣瀬 皓大,
冨澤 勘太,
利根川 啓希,
金子 拓海,
佐藤 穂波,
渡辺 正裕.
原子層薄膜CaF2/Siヘテロ構造を用いたホール駆動共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性,
第80回応用物理学会学術講演会,
応用物理学会,
p. 12-342,
Sept. 2019.
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廣瀬 皓大,
熊谷 佳郎,
利根川 啓希,
冨澤 勘太,
金子 拓海,
佐藤 穂波,
渡辺 正裕.
Si/CaF2バイポーラ二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性,
第80回応用物理学会学術講演会,
応用物理学会,
p. 12-343,
Sept. 2019.
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鄭 源宰,
劉 龍,
小柳 陽平,
渡辺 正裕.
CaF2/Siヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの作製プロセス,
第80回応用物理学会学術講演会,
応用物理学会,
p. 12-344,
Sept. 2019.
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更屋 拓哉,
伊藤 一夫,
高倉 俊彦,
福井 宗利,
鈴木 慎一,
竹内 潔,
附田 正則,
沼沢 陽一郎,
佐藤 克己,
末代 知子,
齋藤 渉,
角嶋邦之,
星井 拓也,
古川 和由,
渡辺正裕,
執行 直之,
筒井一生,
岩井洋,
小椋 厚志,
西澤 伸一,
大村 一郎,
大橋 弘通,
平本 俊郎.
5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス),
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,
電子情報通信学会,
Vol. 118,
No. 429,
pp. 39-44,
Aug. 2019.
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鄭 源宰,
大野 綜一郎,
劉 龍,
渡辺 正裕.
CaF2/Siヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析,
第66回応用物理学会春季学術講演会,
応用物理学会,
p. 11-427,
Mar. 2019.
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三上 萌,
福山 聡史,
渡辺 正裕.
原子層薄膜CaF2/Siヘテロ構造を用いたp 型共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性,
第66回応用物理学会春季学術講演会,
応用物理学会,
p. 11-192,
Mar. 2019.
公式リンク
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市川研佑,
利根川啓希,
廣瀬皓大,
三上萌,
福山聡史,
熊谷佳郎,
渡辺正裕.
金属をエミッタとするシリコン/フッ化物多重障壁共鳴トンネルダイオードの理論解析,
第66回応用物理学会春季学術講演会,
応用物理学会,
p. 11-191,
Mar. 2019.
公式リンク
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