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片瀬貴義 2018年 研究業績一覧 (28件 / 562件)
論文
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Rongbin Wang,
Takayoshi Katase,
Ke-Ke Fu,
Tianshu Zhai,
Jiacheng Yang,
Qiankun Wang,
Hiromichi Ohta,
Norbert Koch,
Steffen Duhm.
Oxygen vacancies allow tuning the work function of vanadium dioxide,
Adv. Mater. Interfaces,
vol. 5,
pp. 1801033,
Oct. 2018.
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Keisuke Ide,
Yuki Futakado,
Naoto Watanabe,
Junghwan Kim,
Takayoshi Katase,
Hidenori Hiramatsu,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide,
Phys. Status Solidi A,
216,
1800198,
Aug. 2018.
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Ryota Sogabe,
Yosuke Goto,
Atsuhiro Nishida,
Takayoshi Katase,
Yoshikazu Mizuguchi.
Superconductivity in La1-xCexOBiSSe: Carrier doping by mixed valence of Ce ions,
Euro. Phys. Lett.,
vol. 122,
pp. 17004,
June 2018.
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Keisuke Nakamura,
Tomoya Oshikiri,
Kosei Ueno,
Takayoshi Katase,
Hiromichi Ohta,
Hiroaki Misawa.
Plasmon-assisted polarity switching of a photoelectric conversion device by UV and visible light irradiation,
J. Phys. Chem. C,
vol. 122,
pp. 14064,
Apr. 2018.
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Ke-Ke Fu,
Rong-Bin Wang,
Takayoshi Katase,
Hiromichi Ohta,
Norbert Koch,
Steffen Duhm.
Stoichiometric and Oxygen-Deficient VO2 as Versatile Hole Injection Electrode for Organic Semiconductors,
ACS Appl. Mater. Interfaces,
vol. 10,
pp. 10552-10559,
Mar. 2018.
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Keisuke Ide,
* Kyohei Ishikawa,
Haochun Tang,
Takayoshi Katase,
Hidenori Hiramatsu,
Hideya Kumomi,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Effects of Base Pressure on Growth and Optoelectronic Properties of Amorphous In‐Ga‐Zn‐O: Ultralow Optimum Oxygen Supply and Bandgap Widening,
physica status solidi (a),
1700832,
1-6,
Feb. 2018.
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Amit Khare,
Jaekwang Lee,
Jaesoung Park,
Gi-Yeop Kim,
Si-Young Choi,
Takayoshi Katase,
Seulki Roh,
Tae Sup Yoo,
Jungseek Hwang,
Hiromichi Ohta,
Junwoo Son,
Woo Seok Choi.
Directing Oxygen Vacancy Channel in SrFeO2.5 Epitaxial Thin Films,
ACS Appl. Mater. Interfaces,
vol. 10,
p. 4831-4837,
Jan. 2018.
国際会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読有り)
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笠井悠莉華,
井手啓介,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体a-Ga-Oを用いたショットキーダイオードの作製,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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井手啓介,
二角勇毅,
渡邉脩人,
金正煥,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
Cr添加アモルファス酸化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス特性,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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ホシンイ,
シャオチーウェン,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
第一原理計算による層状 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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樋口雄飛,
井手啓介,
Christian A. Niedermeier,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
エピタキシャル歪により増強されるLaNiO3極薄膜のフォノンドラッグ熱電特性,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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山本千紘,
半沢幸太,
井手啓介,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫:.
FeSb2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と熱電特性,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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渡邊脩人,
井手啓介,
片瀬貴義,
笹瀬雅人,
戸田喜丈,
金正煥,
上田茂典,
堀場弘司,
組頭広志,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の室温形成,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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松尾健志,
井手啓介,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
ガラス上に成長させた層状セレン化スズ薄膜の電気特性と薄膜トランジスタ,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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森大介,
渡邊脩人,
井手啓介,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
層状半導体Sr2CuMO3S(M= Ga, In)の合成と光電子物性,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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西間木祐紀,
井手啓介,
渡邊脩人,
金正煥,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
希土類添加アモルファス酸化物半導体の電気物性とトランジスタ特性,
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会,
Nov. 2018.
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小山田達郎,
太田裕道,
山ノ内路彦,
小山田達郎,
片瀬貴義,
太田裕道,
山ノ内路彦.
La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3ホールバー構造における電流誘起有効磁場の膜厚・チャネル方向依存性,
第53回応用物理学会北海道支部/第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会,
Jan. 2018.
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二角勇毅,
渡邉脩人,
井手啓介,
金正煥,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
遷移金属元素を発光中心としたアモルファス酸化物半導体蛍光体薄膜の探索,
第56回 セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2018.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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Yasuo Azuma,
Yusaku Kobayashi,
Keisuke Ide,
Takayoshi Katase,
Toshio Kamiya.
Electrical characteristics of microfabricatd ferromagneticl material La0.67Sr0.33MnO3,
The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development,
Sept. 2018.
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K. Ide,
K. Takenaka,
Y. Setsuhara,
A. Hiraiwa,
H. Kawarada,
T. Katase,
H. Hiramatsu,
H. Hosono,
T. Kamiya.
Effects of base pressure on optoelectronic properties of amorphous In–Ga–Zn–O,
The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3),
Sept. 2018.
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T. Kamiya,
K. Ide,
K. Takenaka,
Y. Setsuhara,
A. Hiraiwa,
H. Kawarada,
T. Katase,
H. Hiramatsu,
H. Hosono.
Device characteristics of rare-earth doped amorphous oxide semiconductors,
The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3),
Sept. 2018.
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Keisuke Ide,
Masato Ota,
Takayoshi Katase,
Hidenori Hiramatsu,
Shigenori Ueda,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Depth Analysis of Near Valence Band Mximum Defect States in Amorphous Oxide Semiconductors: In-Ga-Zn-O,
Americas international Meeting on Electrochemistry and Solid state science (AiMES),
Sept. 2018.
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T. Katase,
K. Ide,
H. Hiramatsu,
H. Hosono,
T. Kamiya.
Electric double layer transistor and electron-transport properties of (Tl,K)2Fe4Se5 thin films,
The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3),
Sept. 2018.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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片瀬貴義.
遷移金属酸化物の原子層成長と機能物性,
五セラミックス研究機関(東工大-名工大-JFCC-AIST-NIMS)合同講演会 「新機能発現を目指したニューセラミックス関連技術」,
Oct. 2018.
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平松秀典,
半沢幸太,
佐藤 光,
片瀬貴義,
神谷利夫,
細野秀雄.
鉄系超伝導体の薄膜成長とデバイス作製,
鉄系高温超伝導体発見10周年記念合同シンポジウム,
June 2018.
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片瀬貴義.
遷移金属酸化物歪界面で発現する特異な熱電能,
公益社団法人日本磁気学会、第217回研究会「シン・熱電変換材料」,
Mar. 2018.
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井手 啓介,
太田 雅人,
岸田 陽介,
片瀬 貴義,
平松 秀典,
上田 茂典,
雲見 日出也,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
[講演奨励賞受賞記念講演] 全反射硬X線光電子分光法によるアモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の深さ方向分布,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2018.
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