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中辻寛 2018年 研究業績一覧 (14件 / 221件)
論文
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福元博之,
吉池雄作,
田尻寛男,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B基板上のAg(111)超薄膜のSTM像に現われる埋もれた界面構造,
表面と真空,
日本表面真空学会,
vol. 61,
pp. 657-662,
Oct. 2018.
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Y. Yoshiike,
H. Tajiri,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
X-ray structural analysis of epitaxially grown Ag film/Si(111)Root3xRoot3-B substrate interface,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 57,
pp. 075701(1)-(8),
June 2018.
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Kentaro Nagase,
Ikuya Kokubo,
Shiro Yamazaki,
Kan Nakatsuji,
Hiroyuki Hirayama.
Structure and growth of Bi(110) islands on Si(111)Root3xRoot3-B substrates,
Physical Review B,
vol. 97,
p. 195418 (8 pages),
May 2018.
国際会議発表 (査読有り)
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K. Nakatsuji,
Y. Shimokawa,
T. Fujiwara,
K. Nagase,
S. Yamazaki,
Y. Watanabe,
K. Mase,
K. Takahashi,
H. Hirayama.
Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)Root3×Root3-B Substrate,
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14),
Oct. 2018.
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K. Nagase,
I. Kokubo,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Atomic Structure and Growth of Bi(110) Islands on Si(111)Root3×Root3-B Substrates,
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14),
Oct. 2018.
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T. Ogino,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Suppression of Metal-Insulator Transition by Electron Doping from Substrates to Indium Atomic Wires: Si(111)4×1-In,
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14),
Oct. 2018.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化,
日本物理学会2018年秋季大会,
Sept. 2018.
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菅原喜周,
板倉悠太,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Ag超薄膜/Si(111)基板界面wetting layerの結晶化に伴う量子井戸準位のエネルギーシフト,
Sept. 2018.
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車尾ヴァレンティン基,
荻野嵩大,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B基板上のIn吸着表面超構造,
日本表面科学会 第3回関東支部講演大会,
Apr. 2018.
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板倉悠太,
菅原喜周,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果,
日本表面科学会 第3回関東支部講演大会,
Apr. 2018.
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長瀬謙太郎,
小久保郁也,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の構造,
SPRUC顕微ナノ材料科学研究会・表面科学会放射光部会・プローブ顕微鏡研究部会合同シンポジウム,
Mar. 2018.
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吉池雄作,
田尻寛男,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究,
日本物理学会第73回年次大会,
Mar. 2018.
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下川裕理,
田中和也,
佐藤圭介,
渡邊瞳,
山崎詩郎,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
間瀬一彦,
平山博之,
中辻寛.
Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態,
日本物理学会第73回年次大会,
Mar. 2018.
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車尾ヴァレンティン基,
荻野嵩大,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B表面のIn吸着構造,
日本物理学会第73回年次大会,
Mar. 2018.
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