国際会議発表 (査読有り)

• Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs, International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2023.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 梶川 亮介, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2023.

特許など

• 星井拓也, 筒井一生. ｐチャネルＧａＮＭＯＳデバイス及びその製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2021/08/25. 特願2021-137005. 2023/03/09. 特開2023-031488. 2023.

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