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特許情報


発明の名称
強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法 
発明者
石原宏, 會澤康治, 青木　千恵子, 鉾　宏真, 田村　哲朗, 丸山　研二.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社.  
出願日
2005/10/18
出願番号
特願2005-302611
公開日
2007/05/10
公開番号
特開2007-115733

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