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特許情報


発明の名称
二酸化チタンを活性層として用いる半導体装置およびその製造方法 
発明者
鯉沼秀臣, 松本祐司, 片山　正士.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 独立行政法人科学技術振興機構.  
出願日
2006/02/23
出願番号
特願2007-510338
公開日
2006/10/05
公開番号
特再表2006-103853

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