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特許情報


発明の名称
MOSFETモデルのパラメータ抽出方法 
発明者
赤木泰文, 藤田英明, 地道　拓志, 漆畑　廣明, 冨永真志, 大井　健史, 木ノ内　伸一.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社.  
出願日
2009/03/09
出願番号
特願2009-055179
公開日
2010/09/24
公開番号
特開2010-211387
登録日
2012/08/24
登録番号
特許第5069711号

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